日期：2021-03-03
關(guān)注并了解光電二極管的發(fā)展歷程，我們才知道該元件因何產(chǎn)生，在應(yīng)用過(guò)程中的缺陷以及針對(duì)不足提出的改進(jìn)措施，這些將是我們研究光電二極管的參考依據(jù)。接下來(lái)，成光興小編對(duì)光電二極管的發(fā)展歷程進(jìn)行了總結(jié)，感興趣的了解一下吧。
1、萌芽期(1975年以前)：典型的雪崩模式I-V曲線出現(xiàn)于1957年，由德國(guó)西門子公司申請(qǐng)的專利，標(biāo)志著雪崩增益裝置的出現(xiàn)；1967年由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)的APD光電二極管裝置的專利；此后，其他國(guó)家也有一些申請(qǐng)，但數(shù)量有限，此時(shí)處于APD的萌芽期。
2、快速增長(zhǎng)期(1976~1989年)：隨著硅、鍺、GaAs材料生長(zhǎng)工藝的完善和對(duì)弱光探測(cè)需求的增長(zhǎng)，APD器件專利申請(qǐng)已進(jìn)入快速發(fā)展時(shí)期，特別是在日本申請(qǐng)的數(shù)量急劇增加。
3、低谷期(1990~1999年)：由于基于硅、鍺和GaAs材料的APD器件的研究日益完善，而新材料的開(kāi)發(fā)速度也越來(lái)越慢，專利申請(qǐng)數(shù)量必然會(huì)陷入低谷。
4、成熟期(2000年至今)：隨著材料生長(zhǎng)工藝的發(fā)展，特別是MOCVD外延技術(shù)的成熟，諸如GaN、SiC等第三代半導(dǎo)體的生長(zhǎng)工藝已經(jīng)能夠生長(zhǎng)出符合器件制備要求的材料，APD器件的專利申請(qǐng)也進(jìn)入了成長(zhǎng)和成熟階段，在此基礎(chǔ)上，APD光電二極管器件的專利申請(qǐng)又趨于平穩(wěn)。
以上便是APD光電二極管的發(fā)展歷程。
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