日期：2023-04-21
光敏二極管芯片的有效區(qū)域尺寸從 0.1 毫米到 3.0 毫米不等，可以針對特定應用優(yōu)化選擇低暗電流、高速、光靈敏度和其他檢測器特性。InGaAs 光電二極管應用包括光纖和自由空間光通信、醫(yī)療診斷(葡萄糖和血氣)、NIR-SWIR 監(jiān)測、IR 激光對準、紅外位置感測、光譜學、色譜法和化學分析。
光敏二極管一、定制封裝
光敏二極管均未使用或不需要集成熱電 (TE) 冷卻，以降低成本并提高整體效率。但是，TE 冷卻器、互阻抗放大器 (TIA) 和其他組件可以與我們的 InGaAs 探測器一起定制封裝，用于特殊應用。除了 InGaAs PIN 光敏二極管外，Marktech 還提供晶圓代工服務，用于 1.0 um 至 2.6 um 范圍內的 SWIR 晶圓外延生長，使用 InP 材料作為基礎襯底。Marktech 目前正在生產這些直徑為 2 英寸、3 英寸和 4 英寸的高可靠性晶圓。這些晶圓的應用包括光敏探測器、線性陣列和圖像傳感器。使用我們的外延晶圓加工的光電探測器具有顯著優(yōu)勢，包括更低的暗電流、更好的分流電阻以及在較低工作溫度下的改進性能。
光敏二極管二、模壓塑料通孔
光敏二極管提供各種封裝類型，例如密封金屬罐(TO-5、TO-18、TO-39 和 TO-46)、陶瓷 SAW 封裝、尾纖金屬罐、3mm 模壓塑料通孔(扁平透鏡或圓頂陶瓷)，以及 Marktech 最新的增強型封裝系統(tǒng)——縫焊表面貼裝器件 (SMD) ATLAS 封裝。我們密封的 ATLAS 封裝中的 InGaAs 探測器具有出色的防氧氣和防潮保護。緊湊的 SMD 外形非常適合大批量生產。此外，ATLAS 封裝的 InGaAs 檢測器外形小巧，可用于可穿戴應用。我們還可以將光電探測器芯片集成到定制設計的組件中。
光敏二極管三、性能
除了 InGaAs 紅外探測器外，Marktech 還提供一系列標準硅探測器，例如光電二極管 (SiPD)、光電晶體管和雪崩光電二極管。我們的硅探測器具有 400 nm 至 1100 nm 的光譜靈敏度，適用于光學開關、Vis-NIR 傳感、位置傳感、激光對準、光和激光監(jiān)測、光譜學、血氧測定以及其他需要高速、一致和高靈敏度的應用可靠性能。標準光伏硅光電二極管：光譜靈敏度在 400nm 至 1100nm 范圍內，適用于光譜設備和任何需要寬帶靈敏度的光傳感應用，并在藍/綠區(qū)域進行增強。紫外增強型硅光電二極管具有低至 254nm 的靈敏度。
光敏二極管四、高靈敏度
硅光電晶體管： 400nm 至 1100nm 范圍內的光譜靈敏度，適用于需要極高靈敏度、均勻響應和更高可靠性的應用，例如讀卡器和光學傳感器。硅雪崩光敏二極管 (Si APD's)：用于 NIR 光譜中的高速低光檢測，針對 800nm 或 905nm 峰值響應進行了優(yōu)化。InGaAs PIN 光電二極管：高靈敏度和高可靠性，光譜靈敏度在 600nm – 2600nm 范圍內。我們的 InGaAs 探測器非常適合醫(yī)療診斷、化學分析、位置傳感、Vis-NIR-SWIR 寬帶傳感和光通信設備。InGaAs-硅雙二極管：從 254nm 到 2600nm 的光譜靈敏度取決于放置在同一封裝中的特定 InGaAs 和硅光敏二極管。
光敏二極管五、放大器
光電二極管放大器通常采用 JFET 運算放大器，因為它們的偏置電流較低;然而，當需要精度時，JFET 運算放大器通常由于其相對較高的輸入失調電壓和漂移而無法滿足要求。LT1880 提供高精度和極低的偏置電流(I。反饋電容器，CLT1880 以非常低的偏置電流(I B = 150 ，因此適用于這項要求苛刻的任務。圖 429.3顯示了配置為跨阻光電二極管放大器的 LT1880。跨阻增益由 R F設置為 51.1kΩ F可以根據需要盡可能大，或者可以選擇它以獲得最大平坦響應和給定光電二極管電容 C 的最高可能帶寬D. _ 圖 429.4顯示了 C 的圖表F和上升時間與 CD以獲得最大平坦響應?？傒敵鍪д{低于 262μV，在最壞情況下，在整個溫度范圍內(0°C 至 70°C)。對于 5V 輸出擺幅，這意味著最小 86dB 動態(tài)范圍，在整個溫度(0°C 至 70°C)范圍內持續(xù)，以及 98μA 的滿量程光電二極管電流。
以上就是關于光敏二極管光譜學知識講解的分享，相信大家在看了以上的總結之后，也已經對這方面的知識有了一定的了解，想要了解更多關于光敏二極管以及紅外發(fā)射管的知識資訊，可以前往官網的客服進行咨詢。
關注微信
