日期：2021-03-31
作為紅外探測系統(tǒng)的核心組成部分，以大型化、小型化、多色化、高速探測和三維成像為主要特征的第三代碲鎘汞紅外焦平面探測器已經(jīng)成為紅外光電探測技術(shù)發(fā)展的主要方向。其中，紅外雪崩二極管(APD)陣列作為近十多年來發(fā)展起來的一種新型探測器，以其高增益、高靈敏度和高速探測等優(yōu)點，成為未來弱信號探測、三維主動/被動探測等方面的重要應(yīng)用器件。接下來，成光興小編主要和大家探討一下雪崩光電二極管在碲鎘汞探測器中的應(yīng)用。
硅片APD技術(shù)在可見光波段已基本取代傳統(tǒng)的光電增壓器(PMT)技術(shù)，在紅外波段探測效率較低。在紅外短波波段，InGaAs/InP型雪崩二極管的光譜相對于吸收層材料為InGaAs，倍增層材料為InP，具有一定的優(yōu)越性。
HgCdTe型雪崩光子探測器(APD)是一種極具應(yīng)用前景的雪崩光子探測器。CdZnTe是Hg1-xCdxTe與CdTe混合而成的三元化合物，其晶格常數(shù)隨組分變化不大，可與CdZnTe基底實現(xiàn)完美晶格匹配。由于Hg1-xCdxTe是直接帶隙半導體材料，紅外光的吸收系數(shù)和量子效率都較高；通過改變材料成分，可以改變器件的光譜，響應(yīng)波段可以較好覆蓋整個紅外光譜范圍。
此外，碲鎘汞材料的空穴電子離化率和工作溫度范圍較大，因此，碲鎘汞材料具有較寬的增益帶寬積和較高的信噪比，使其在紅外雪崩光子探測領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
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