日期：2021-03-09
相對(duì)于大多數(shù)III-Ⅴ族化合物探測(cè)器，硅的碰撞電離系數(shù)比值較低，所以硅鍺雪崩二極管探測(cè)器的噪聲小，帶寬寬。為利用鍺在近紅外區(qū)的強(qiáng)吸收和硅的低倍增噪聲優(yōu)勢(shì)，市面上生產(chǎn)了一種基于吸收層、電荷層和倍增層分離結(jié)構(gòu)的硅鍺雪崩二極管探測(cè)器。由于其較小的寄生電容以及對(duì)量子效率和載流子傳輸時(shí)間的解耦，探測(cè)器采用波導(dǎo)設(shè)計(jì)而非垂直入射，從而獲得了更高的量子效率和帶寬。
此外，波導(dǎo)雪崩光電二極管探測(cè)器可以集成到復(fù)雜的光子集成電路中，比如包含波分復(fù)用器的光子集成電路。利用分布式布拉格反射體，雪崩二極管探測(cè)器的量子效率在通信頻段由60%提高到90%。
帶分布式布拉格反射器的雪崩光電二極管探測(cè)器帶寬仍可達(dá)25GHz，與不帶分布式布拉格反射器的雪崩光電二極管探測(cè)器帶寬相當(dāng)。該設(shè)計(jì)還實(shí)現(xiàn)了10V低擊穿電壓和近500GHz的帶寬增益積，并且在64Gb/s速率下能成功實(shí)現(xiàn)無(wú)誤碼傳輸。
雪崩光電二極管探測(cè)器設(shè)計(jì)在擊穿電壓、量子效率、倍增增益、器件帶寬和附加噪聲等方面具有較好的性能，將為下一代高帶寬、高能效的光學(xué)互連技術(shù)在大型數(shù)據(jù)中和高性能計(jì)算中發(fā)揮重要作用。
以上便是波導(dǎo)硅鍺雪崩光電二極管探測(cè)器的相關(guān)事項(xiàng)。
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