日期：2021-03-05
HgCdTe探測(cè)器逐漸成為一種流行趨勢(shì)，而其中的光電二極管則成為起到關(guān)鍵作用的光學(xué)元件，但在探測(cè)器的研究中，光電二極管與探測(cè)器的結(jié)合還有很多缺陷，接下來，成光興小編就來和大家探討一下探測(cè)器中光電二極管需要改進(jìn)的地方。
在HgCdTe雪崩光電二極管的研究方面，國外已做了大量的工作，但國內(nèi)的研究還處于起步階段，需要突破的關(guān)鍵技術(shù)主要有：
1、低缺陷碲鎘汞材料的生長技術(shù)，由于HgCdTe APD光電二極管工作偏壓較高，材料內(nèi)部的位錯(cuò)會(huì)導(dǎo)致器件在高偏壓下的性能變差，因此要求碲鎘汞外延材料具有較低的位錯(cuò)密度；
2、pn結(jié)結(jié)技術(shù)，離子注入和退火技術(shù)，這是HgCdTe APD制備平面結(jié)的關(guān)鍵技術(shù)之一，離子注入后，通過退火控制各區(qū)域的位置及摻雜濃度，形成理想的PIN結(jié)構(gòu)；
3、暗電流的抑制技術(shù)，要求暗電流和材料的截止波長、工作溫度、表面漏電流等因素與普通焦平面探測(cè)器件有著直接的聯(lián)系，需要對(duì)暗電流進(jìn)行分析，并采用新的測(cè)量方法。
以上便是光電二極管需要改進(jìn)的內(nèi)容，在實(shí)際生產(chǎn)研究中，研究人員要大膽創(chuàng)新，采用新的方法來使其功能得到改善，應(yīng)用范圍得以擴(kuò)大。關(guān)于雪崩光電二極管的內(nèi)容還有很多，成光興小編先分享到這里了。
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