日期：2021-01-07
在對(duì)光信號(hào)要求較高的各種應(yīng)用場(chǎng)合，如光纖通信、閃爍(scintillaTIon)檢測(cè)等，經(jīng)?？吹窖┍?a href="http://77869.com.cn/list-PDICxilie.html" target="_blank">光敏二極管（APD）的身影。通常APD的測(cè)量包括擊穿電壓，響應(yīng)度，反向偏置電流等。那這種雪崩光敏二極管有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
雪崩光敏二極管由于其體積小、無(wú)需高壓電源等優(yōu)點(diǎn)，因此更適合于實(shí)際應(yīng)用；雪崩光敏二極管與一般半導(dǎo)體光敏二極管相比，具有靈敏度高、速度快等優(yōu)點(diǎn)，特別是當(dāng)系統(tǒng)帶寬較大時(shí)，可使系統(tǒng)的檢測(cè)性能得到較大提高。
如果半導(dǎo)體二極管加上足夠高的反向偏壓，那么在耗盡層中移動(dòng)的載流子就會(huì)由于碰撞電離效應(yīng)而引起雪崩倍增。這種現(xiàn)象最初是在研究半導(dǎo)體二極管的反向擊穿機(jī)制時(shí)發(fā)現(xiàn)的。在載流子崩增益很高時(shí)，二極管進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài)；在此之前，只要耗盡層中的電場(chǎng)足夠大，就可以產(chǎn)生一個(gè)平均雪崩倍增值，條件是耗盡層中的載流子產(chǎn)生了碰撞電離。
撞擊-離子化效應(yīng)也會(huì)導(dǎo)致光生載流子崩塌倍增，使得半導(dǎo)體光敏二極管內(nèi)部有光敏流增益。如果外部偏壓非常接近物體的擊穿電壓，二極管就能獲得很高的光敏流增益。在任何小的局部區(qū)域預(yù)先擊穿PN結(jié)，都會(huì)限制二極管的使用，因此，只有當(dāng)一個(gè)實(shí)際器件在整個(gè)PN結(jié)表面上非常均勻時(shí)，才能獲得很高的平均光敏流增益。
所以就工作狀態(tài)而言，雪崩光敏二極管實(shí)際上是在接近（但沒(méi)有達(dá)到）雪崩擊穿狀態(tài)時(shí)工作的，高度均勻的半導(dǎo)體光敏二極管。
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