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日期:2023-05-19
在光敏二極管陣列檢測(cè)器中,光敏二極管以網(wǎng)格圖案排列,每個(gè)光敏二極管對(duì)應(yīng)于二維圖像平面中的特定位置。然后通過測(cè)量相應(yīng)光電二極管產(chǎn)生的電流來確定每個(gè)位置的光強(qiáng)度。這允許光電二極管陣列檢測(cè)器捕獲和分析二維圖像平面上的光強(qiáng)度。在分光光度法中,光敏二極管陣列檢測(cè)器的工作原理類似,不同之處在于它用于測(cè)量一定波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光強(qiáng)度。在此應(yīng)用中,光敏二極管陣列位于單色器前面,單色器將光分成其組成波長(zhǎng)。然后光電二極管測(cè)量每個(gè)波長(zhǎng)的光強(qiáng)度,使檢測(cè)器能夠捕獲和分析光的光譜分布。
光敏二極管一、電子設(shè)備進(jìn)行處理
光敏二極管陣列檢測(cè)器的輸出可以使用模擬或數(shù)字電子設(shè)備進(jìn)行處理,以提供光強(qiáng)度數(shù)據(jù)的數(shù)字表示。這些數(shù)據(jù)隨后可用于進(jìn)一步分析,例如光譜分析或成像分析,具體取決于具體應(yīng)用。優(yōu)點(diǎn):高靈敏度:光電二極管陣列檢測(cè)器對(duì)光高度敏感,這使它們成為許多需要精確測(cè)量光強(qiáng)度的應(yīng)用的理想選擇??焖夙憫?yīng)時(shí)間:光電二極管陣列檢測(cè)器具有快速響應(yīng)時(shí)間,這意味著它們可以快速檢測(cè)光強(qiáng)度的變化。大活性區(qū)域:光電二極管陣列檢測(cè)器具有大活性區(qū)域,這使它們能夠檢測(cè)來自更廣泛角度和來源的光。低噪聲:光電二極管陣列檢測(cè)器產(chǎn)生的噪聲非常小,這意味著它們可以高精度地檢測(cè)光強(qiáng)度的微小變化。高線性度:光敏二極管陣列檢測(cè)器具有高度的線性度,這意味著它們可以在很寬的值范圍內(nèi)準(zhǔn)確測(cè)量光強(qiáng)度。
光敏二極管二、光譜范圍
光敏二極管陣列檢測(cè)器通常設(shè)計(jì)為在特定光譜范圍內(nèi)運(yùn)行,這意味著它們可能不適合需要在該范圍之外進(jìn)行測(cè)量的應(yīng)用。易受溫度變化影響:光電二極管陣列檢測(cè)器可能對(duì)溫度變化敏感,這會(huì)影響其性能和精度。昂貴:光電二極管陣列探測(cè)器可能相對(duì)昂貴,尤其是與其他類型的光探測(cè)器相比。需要外部偏置電壓:光電二極管陣列檢測(cè)器需要外部偏置電壓才能運(yùn)行,這會(huì)增加設(shè)計(jì)的復(fù)雜性并增加成本。有限的動(dòng)態(tài)范圍:光敏二極管陣列檢測(cè)器的動(dòng)態(tài)范圍有限,這意味著它們可能不適合需要在很寬的光強(qiáng)度范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量的應(yīng)用。光電二極管陣列檢測(cè)器提供了一種快速有效的方法來捕獲和分析光數(shù)據(jù),并且由于能夠檢測(cè)和測(cè)量二維圖像平面或一定波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光強(qiáng)度,因此被廣泛用于各種應(yīng)用。
光敏二極管三、紫外檢測(cè)器
當(dāng)今可用的最先進(jìn)的 UV 檢測(cè)器是光電二極管陣列檢測(cè)器。DAD 允許在分析色譜數(shù)據(jù)的過程中以一定的采樣率同時(shí)測(cè)量整個(gè) UV 光譜。傳統(tǒng)可變波長(zhǎng)檢測(cè)器和二極管陣列裝置 (DAD) 之間的主要區(qū)別在于單色儀和測(cè)量室的設(shè)計(jì)。在 DAD 中,單色儀位于用于測(cè)量的腔室后面(所謂的“反向光學(xué)”)。紫外檢測(cè)器主要用于吸收紫外光的有機(jī)溶劑進(jìn)行分離時(shí)的應(yīng)用。主要問題是使溶劑與紫外線兼容,同時(shí)滿足聚合物溶解度的要求。然而,重要的是要注意,與 UV-DAD 相比,IDL 值較小,樣品中的物質(zhì)吸收部分來自氘燈的光,并由位于流通池中的光學(xué)系統(tǒng)聚焦。在衍射光柵上分裂的光線直接落在光電二極管陣列上。記錄二極管光強(qiáng)度的可能性是 10 毫秒內(nèi) 190-600 納米。
光敏二極管四、窄光譜測(cè)量
例如,光敏二極管陣列可以由 211 個(gè)光電二極管組成。它們中的每一個(gè)都執(zhí)行窄光譜的測(cè)量。由于同時(shí)記錄了安裝在陣列上的各個(gè)光電二極管的電流,因此可以記錄要分析的化合物的整個(gè)吸收光譜。保留時(shí)間、波長(zhǎng)和吸光度是一個(gè)可以表示信號(hào)光譜的三維系統(tǒng)。對(duì)于使用峰值色譜圖測(cè)試的樣品的每個(gè)單獨(dú)成分,可以注冊(cè)具有最大吸光度的簡(jiǎn)單色譜圖。
光敏二極管五、光源收集
雙光敏二極管傳感器在不同靈敏度范圍內(nèi)的單位像素表示如下兩幅圖所示。CMOS 卷積過程負(fù)責(zé)產(chǎn)生單個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。不同尺寸的N+摻雜區(qū)具有相同的靈敏度。這發(fā)生在傳統(tǒng)的光敏二極管中,如下圖 A 所示。這是由于在傳統(tǒng) CMOS 工藝中缺少微透鏡集成。在沒有光源收集光的情況下發(fā)生光敏二極管的整個(gè)區(qū)域的照明。在這種情況下,傳遞到雙光電二極管傳感器的光的值與單光敏二極管的面積有關(guān)。金屬屏蔽引起靈敏度差異的產(chǎn)生,如圖 B 所示。靈敏度低的光敏二極管的光強(qiáng)度會(huì)降低。由于在具有金屬屏蔽的結(jié)構(gòu)中使用了雙光電二極管傳感器,因此在這種像素結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)了 WDR。由于沒有微透鏡,生產(chǎn)成本降低,微透鏡的制造成本高于生產(chǎn)所述結(jié)構(gòu)的情況。
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